报道还提到，这些专利与 FinFET（鳍式场效应晶体管）技术的周边微结构有关，涉及源极和漏极金属接触、绝缘层、较长的栅极间距结构以及精细布线设计。
在诉讼文件中，Stellar 通过光学显微镜、SEM（扫描电子显微镜）、TEM（透射电子显微镜）和 EDS（能量色散 X 射线光谱）等手段，物理分析了三星芯片，从而支持其“三星侵权”主张。
在诉讼指控芯片方面，涵盖骁龙 888 和骁龙 8 Gen 1 等高通芯片，以及 Exynos 1280 和 Exynos 1380 等三星自研芯片。
在诉讼指控机型方面，覆盖 Galaxy S10 到 S26 系列，还包括多代 Galaxy Z Fold、Galaxy Z Flip，以及部分 Galaxy Tab 平板。
在诉讼请求上，Stellar 要求法院作出正式侵权认定，判令三星赔偿损失并支付律师费。Stellar 还表示，三星在诉状送达后已进入正式知情状态，因此请求法院认定其为故意侵权；如果法院采纳这一说法，最终赔偿额可能提高到 3 倍。